在前年AMD的5000系列剛推出上市的時候，當時AMD如日中天
我就講過堆L3就能提升遊戲體表現，被一堆網路上的A粉和酸民炮轟
甚至將酷優化團隊成員內的多個論壇帳號和FB社團給封鎖停權
有那麼長的時間，AMD應該可以重新設計晶片和光照
直接增加晶片尺寸加大L3快取，這樣做比較不會影響時脈的提升
"日前在ISSCC大會上，AMD也詳細了介紹了3D緩存的Ryzen處理器的架構技術，3D
V-Cahce的製造工藝也是台積電7nm，面積為41平方毫米，包括13層銅、1 層鋁堆疊而成，然後通過TSV矽穿孔、混合鍵合（Hybrid
Bonding）、兩個信號介面等管道與三級緩存直接相連，通過RVDD、VDDM為其供電。"
後面是演變成打磨後堆疊晶片，這確實是一個解決方案
但是這樣會因為堆疊影響散熱，甚至影響運作時脈的拉升
且這樣的應用相對行動產品的裸晶應用，因為沒有上蓋保護
也會變成更容易因為壓力的問題損壞，所以不會推出行動版本的產品
這樣的方式是創新的，因為過去的堆疊晶片大多是設計好的甚至是直接用半導體製程去完成的
如現在的FLASH那些，當然現在也有FLASH的容量是晶片疊晶片的封裝增加容量
但是運作時脈都沒有那麼高，要達到L3的頻寬算是新的理程了，良率怎麼樣還不知道
但是相對晶片的結構一定會更脆弱，桌機的產品可以在上蓋之內的材料固定料設法加強
但是裸晶的行動版本處理器基本上就不適合這樣的方式處理CPU了
增加L3我在產品推出的初期，取得產品測試了解之後
花時間分析得出來的結論，分享給大家知道，確被當成在黑AMD
被許多跟本就不懂的無腦A粉攻擊抹黑，結果AMD經過了那麼久，還是處理L3增加
且是用相對比較差的方式，只有做單晶片的5800X3D主要應該是良率的問題
因為雙晶片的風險會拉高很多，且原本就有容易積熱的問題，壓合度不佳問題會更遭
AMD的5800X3D應該也只是過渡的產品，因為這樣做的風險是不低的
一但出問題基本上就是只能報廢處理，基本上是沒有辦法復原的
當然是否真的一定要這樣做，其實還是有其他的替代方式
用更大容量的L4封裝在基板上面，相對風險低成本低良率也高
但是問題是要針對BIOS進行大規模全面的優話調整處理
AM4主機板家族的龐大，CPU插槽相同更新BIOS就能使用
但是晶片組還是不同的產品，如果要增加L4的支援應用，BIOS會搞死人
但是也是一條路，甚至是未來都能夠應用的一條路
在行動版本處理器上面也可以透過基板封裝來達成，主機板的問題
應該是讓AMD沒有辦法選擇這一條路的重要關鍵
反正現在已經確定了AMD的處理方式，相對應的代價應該量就不會多
後面就是看最後的上市價格了，這樣的應用我覺得日後也會很稀有
如果價格漂亮合理的話，我應該也會裝一台來參與體驗這個特別的CPU
後面可能會拆出保存起來，拿還紀念，茶於飯後的討論，最後一個上市的AMD有針腳CPU
也見證我們專業，在產品初期就已經講出了必然的發展方向和抓出效能瓶頸問題
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